[发明专利]SiC沟槽晶体管器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911119103.9 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN111200021A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | T.艾兴格;W.贝格纳;P.埃林豪斯;R.埃尔佩尔特;R.埃斯特韦;F.格拉泽;C.莱恩德茨;S.牛;D.彼得斯;R.西米尼克;B.齐佩留斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/06;H01L29/10;H01L23/552;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据半导体器件的实施例，器件包括形成在SiC衬底中并在第一方向上纵向平行延伸的栅极沟槽。第一导电类型的源极区的行形成在SiC衬底中并且在相对于第一方向为横向的第二方向上纵向平行延伸。在源极区的行下方的SiC衬底中形成与第一导电类型相反的第二导电类型的体区的行。在SiC衬底中形成第二导电类型的体接触区的行。体接触区的行在第二方向上纵向平行延伸。第二导电类型的第一屏蔽区在SiC衬底中形成得比体区的行更深。 | ||
| 搜索关键词： | sic 沟槽 晶体管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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