[发明专利]SiC沟槽晶体管器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅极沟槽，形成在SiC衬底中并在第一方向上纵向平行延伸；

第一导电类型的源极区的行，形成在SiC衬底中并且在相对于第一方向为横向的第二方向上纵向平行延伸；

与第一导电类型相反的第二导电类型的体区的行，形成在源极区的行下方的SiC衬底中；

形成在SiC衬底中的第二导电类型的体接触区的行，体接触区的行在第二方向上纵向平行延伸；和

第二导电类型的第一屏蔽区，其在SiC衬底中形成得比体区的行更深。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在相对于SiC衬底的主表面为水平的平面中，每个源极区被成形为平行四边形，其具有由第一和第二方向限定且大于90度的第一对相对角、以及由第一和第二方向限定且小于90度的第二对相对角。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中由第一和第二方向限定的每个第一对相对角是约135度，并且其中由第一和第二方向限定的每个第二对相对角是约45度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中沿着栅极沟槽的侧壁设置的体区的部分形成半导体器件的沟道区，并且其中相同栅极沟槽的相对侧壁与SiC衬底的（11-20）a-面对准，使得沟道区沿着（11-20）a-面延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括形成在至少一些栅极沟槽的底部处的SiC衬底中的第二导电类型的第二屏蔽区，其中第二屏蔽区通过邻接的第一屏蔽区和/或邻接的体接触区而电接触。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中第二屏蔽区在SiC衬底中延伸到与第一屏蔽区不同的深度。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中第二屏蔽区被形成为条带，所述条带在第一方向上纵向平行延伸。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中第二方向相对于第一方向为横向的但不与第一方向正交。

9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在SiC衬底中形成栅极沟槽并在第一方向上纵向平行延伸；

在SiC衬底中形成第一导电类型的源极区的行并在相对于第一方向为横向的第二方向上纵向平行延伸；

在源极区的行下方的SiC衬底中形成与第一导电类型相反的第二导电类型的体区的行；

在SiC衬底中形成第二导电类型的体接触区的行，体接触区的行在第二方向上纵向平行延伸；和

在SiC衬底中比体区的行更深地形成第二导电类型的第一屏蔽区。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在至少一些栅极沟槽的底部处的SiC衬底中形成第二导电类型的第二屏蔽区；和

通过邻接的第一屏蔽区和/或邻接的体接触区来电接触第二屏蔽区。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成第二屏蔽区包括：

通过至少一些沟槽的底部将第二导电类型的掺杂物质注入到SiC衬底中；和

对SiC衬底进行退火以激活注入的掺杂物质。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在形成栅极沟槽之前形成第一屏蔽区。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，第二方向相对于第一方向为横向的但不与第一方向正交。