[发明专利]一种具有暗电流抑制结构的锑化物超晶格甚长波红外探测器有效
| 申请号： | 201911117680.4 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110797424B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 岳壮豪;施毅;牛智川;王国伟;徐应强;蒋洞微;常发冉;李勇 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/103 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有暗电流抑制结构的锑化物超晶格甚长波红外探测器，以抑制器件暗电流并提高光生载流子输运。包括以下结构：衬底；缓冲层，外延于所述衬底之上；中长波波段接触层，称为P区，外延于所述缓冲层之上；甚长波波段吸收层，称为π区，外延于所述中长波波段接触层P区之上；中长波波段势垒层，称为M区，外延于所述甚长波波段吸收层π区之上；中长波波段接触层，称为N区，外延于所述中长波波段势垒层M区之上；盖层外延于所述中长波波段接触层N区之上；调整控制各个区域的超晶格结构，吸收层与势垒层的掺杂方式及厚度以设计所述红外探测器器件的能带结构。该结构基于PπMN结构，提出了全新势垒结构设计涉及超晶格、厚度和掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电流 抑制 结构 锑化物超 晶格 长波 红外探测器 | ||
【主权项】：
1.一种基于锑化物超晶格的甚长波红外探测器，其特征在于，包括以下结构：衬底；缓冲层，外延于所述衬底之上；/n中长波波段接触层，称为P区，外延于所述缓冲层之上；/n甚长波波段吸收层，称为π区，外延于所述中长波波段接触层P区之上；/n中长波波段势垒层，称为M区，外延于所述甚长波波段吸收层π区之上；/n中长波波段接触层，称为N区，外延于所述中长波波段势垒层M区之上；/n盖层，外延于所述中长波波段接触层N区之上；/n调整控制各个区域的超晶格结构，吸收层与势垒层的掺杂方式及厚度以设计所述红外探测器器件的能带结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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