[发明专利]一种材料结构倒置型异质衬底肖特基二极管电路制作方法在审
| 申请号： | 201911111024.3 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN111009466A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 牛斌;范道雨;戴家赟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/28;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 孙昱 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种材料结构倒置型异质衬底肖特基二极管电路制作方法，包括在原衬底材料外延生长腐蚀停止层、n‑掺杂层，n+掺杂层，在通过光刻、金属化并退火形成正面欧姆接触,然后将材料正面与异质衬底键合，再完全去除原材料衬底及腐蚀停止层，然后翻转晶圆，以异质衬底为器件底部制作连接欧姆接触与n‑掺杂层表面的垂直互联金属，再在n‑掺杂层表面制作肖特基接触、空气桥等结构，完成肖特基二极管制作，最后在异质衬底上制作微波传输线、空气桥等结构，并减薄异质衬底，完成材料结构倒置型异质衬底肖特基二极管电路制作。本发明肖特基二极管为准垂直结构，便于减小串联电阻，提高了器件截止频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 结构 倒置 型异质 衬底 肖特基 二极管 电路 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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