[发明专利]薄膜晶体管、其制作方法、压力传感器及压力传感装置在审

专利信息
申请号: 201911101553.5 申请日: 2019-11-12
公开(公告)号: CN110797414A 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 陶永春;曲峰 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/84;H01L29/51;H01L21/336;G01L9/12;G01L1/14
代理公司: 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 代理人: 姚楠
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种薄膜晶体管、其制作方法、压力传感器及压力传感装置,该薄膜晶体管包括:衬底基板,位于衬底基板上叠层设置的栅极和有源层,栅极和有源层之间具有空腔结构;空腔结构在衬底基板上的正投影至少覆盖有源层在衬底基板上的正投影。通过在栅极和有源层之间设置空腔结构,该空腔结构相当于薄膜晶体管的附加绝缘层,这样一来,当按压薄膜晶体管的栅极一侧,空腔结构的厚度则会发生变化,从而使得栅电容发生变化,进而能够使得薄膜晶体管的沟道电流发生变化,从而可以实现压力的信号测量,因此通过多个上述薄膜晶体管的连接和行列扫描处理,形成压力传感器,可以实现压力分布测试及触控功能的实现。
搜索关键词: 薄膜晶体管 空腔结构 衬底基板 源层 压力传感器 正投影 绝缘层 按压 压力传感装置 触控功能 沟道电流 信号测量 行列扫描 压力分布 栅电容 叠层 测试 覆盖 制作
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:衬底基板,位于所述衬底基板上叠层设置的栅极和有源层,所述栅极和所述有源层之间具有空腔结构;所述空腔结构在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影。/n
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