[发明专利]MOS晶体管特征提取方法、装置、介质及电子设备有效
| 申请号： | 201911100744.X | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112861297B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 杨俊 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G01R31/26;G06F111/10 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种MOS晶体管特征提取方法、装置、介质及电子设备，涉及半导体器件测试技术领域，所述MOS晶体管的第一掺杂区通过导线与第一引出焊盘电连接，特征提取方法包括：获取所述导线的布线电阻；获取所述MOS晶体管的第一掺杂区的扩散电阻；根据所述布线电阻和所述扩散电阻获取所述MOS晶体管的第一掺杂区等效电阻系数；将所述第一掺杂区等效电阻系数加入预先建立的MOS晶体管模型，以进行仿真计算。本发明的技术方案根据布线电阻和扩散电阻获取第一掺杂区等效电阻系数，并将该第一掺杂区等效电阻系数加入MOS晶体管模型，以模拟MOS晶体管的寄生电阻，从而可以得到更加精确的仿真结果。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 特征 提取 方法 装置 介质 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911100744.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
