[发明专利]MOS晶体管特征提取方法、装置、介质及电子设备

权利要求书

1.一种MOS晶体管特征提取方法，所述MOS晶体管的第一掺杂区通过导线与第一引出焊盘电连接，其特征在于，包括：

获取所述导线的布线电阻；

获取所述MOS晶体管的第一掺杂区的扩散电阻；

根据所述布线电阻和所述扩散电阻获取所述MOS晶体管的第一掺杂区等效电阻系数；

将所述第一掺杂区等效电阻系数加入预先建立的MOS晶体管模型，以进行仿真计算；

获取所述MOS晶体管的第一掺杂区的扩散电阻包括：

获取所述MOS晶体管的第一掺杂区的中心到所述MOS晶体管的栅极的边缘的距离；

获取所述MOS晶体管的宽度和所述第一掺杂区的方块电阻；

根据所述距离、所述MOS晶体管的宽度和所述第一掺杂区的方块电阻获取所述扩散电阻；

所述第一掺杂区等效电阻系数为所述布线电阻和所述扩散电阻之和与所述第一掺杂区方块电阻的倍数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取所述导线的布线电阻包括：

获取所述导线的长度和宽度；

获取所述导线的方块电阻；

根据所述导线的长度、所述导线的宽度和所述导线的方块电阻获取所述布线电阻。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂区为源极，所述MOS晶体管包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，所述第一MOS晶体管的源极和所述第二MOS晶体管的源极均与所述第一引出焊盘电连接；所述第一MOS晶体管的栅极和所述第二MOS晶体管的栅极均与第二引出焊盘电连接。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述MOS晶体管的第二掺杂区为漏极，将所述第一掺杂区等效电阻系数加入预先建立的MOS晶体管模型之后，所述方法还包括：

向所述MOS晶体管施加栅极电压、源极电压、漏极电压；

获取所述MOS晶体管的漏极电流；

根据所述漏极电流和所述晶体管模型来获取所述MOS晶体管的电压-电流特性。

5.一种MOS晶体管仿真装置，所述MOS晶体管的第一掺杂区通过导线与第一引出焊盘电连接，其特征在于，包括：

布线电阻获取单元，用于获取所述导线的布线电阻；

扩散电阻获取单元，用于获取所述MOS晶体管的第一掺杂区的扩散电阻；

第一掺杂区等效电阻系数获取单元，用于根据所述布线电阻和所述扩散电阻获取所述MOS晶体管的第一掺杂区等效电阻系数，所述第一掺杂区等效电阻系数为所述布线电阻和所述扩散电阻之和与所述第一掺杂区方块电阻的倍数；

建模单元，用于将所述第一掺杂区等效电阻系数加入预先建立的MOS晶体管模型，以进行仿真计算；

所述扩散电阻获取单元还用于：

第三获取子单元，用于获取所述MOS晶体管的第一掺杂区的中心到所述MOS晶体管的栅极的边缘的距离；

第四获取子单元，用于获取所述MOS晶体管的宽度和所述第一掺杂区的方块电阻；

扩散电阻获取子单元，用于根据所述距离、所述MOS晶体管的宽度和所述第一掺杂区的方块电阻获取所述扩散电阻；

所述第一掺杂区等效电阻系数为所述布线电阻和所述扩散电阻之和与所述第一掺杂区方块电阻的倍数。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述布线电阻获取单元还用于：

第一获取子单元，用于获取所述导线的长度和宽度；

第二获取子单元，用于获取所述导线的方块电阻；

布线电阻获取子单元，用于根据所述导线的长度、所述导线的宽度和所述导线的方块电阻获取所述布线电阻。

7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第一掺杂区为源极，所述MOS晶体管包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，所述第一MOS晶体管的源极和所述第二MOS晶体管的源极均与所述第一引出焊盘电连接；所述第一MOS晶体管的栅极和所述第二MOS晶体管的栅极均与第二引出焊盘电连接。