[发明专利]金属引线、半导体器件及其制作方法在审
申请号: | 201911096558.3 | 申请日: | 2019-11-11 |
公开(公告)号: | CN110931424A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 曾甜;胡杏;占迪 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/522 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种金属引线、半导体器件及其制作方法,在形成导电结构的凹槽的同时形成布线层凹槽,之后填充导电材料在导电结构的开孔、凹槽的过程中同时填充布线层凹槽,在形成导电结构的同时形成布线层,不需要再额外开孔将导电结构引出,也不需要在沉积铝层之后再刻蚀形成布线层,节省了两张掩膜板,节约了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 金属 引线 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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