[发明专利]一种碳化硅晶体二次退火方法在审
| 申请号： | 201911096313.0 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN110863247A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 张岩;葛明明;李龙远;刘兵;李晋;赵然;赵子强;陈菲菲 | 申请（专利权）人： | 中科钢研节能科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 严政;刘依云 |
| 地址： | 100081 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅晶体再处理方法领域，公开了一种碳化硅晶体二次退火方法。所述方法包括：将碳化硅晶体(6)放入石墨坩埚(4)后，在碳化硅晶体(6)周围填充碳化硅粉末原料(5)，之后将石墨坩埚(4)放入石墨毡缠制得到的保温筒(3)中，得到保温热场，再将保温热场放入退火设备中进行抽真空，之后通入惰性气体或氮气，在惰性气体或氮气保护氛围下，对退火设备进行升温，调整线圈(1)与石墨坩埚(4)的相对位置，使得上测温仪(8)和下测温仪(7)的温差绝对值小于30℃，优选为小于20℃，进一步优选为小于5℃，对退火设备进行降温，降至室温后，取出碳化硅晶体(6)。采用本发明所述的方法，使得碳化硅晶体在二次退火过程中始终处于相对均匀的热场中，进而可以降低碳化硅晶体的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 二次 退火 方法 | ||
【主权项】：
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