[发明专利]一种碳化硅晶体二次退火方法在审
| 申请号： | 201911096313.0 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN110863247A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 张岩;葛明明;李龙远;刘兵;李晋;赵然;赵子强;陈菲菲 | 申请（专利权）人： | 中科钢研节能科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 严政;刘依云 |
| 地址： | 100081 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 二次 退火 方法 | ||
1.一种碳化硅晶体二次退火方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(A)将石墨毡缠制得到保温筒(3)，其中，所述保温筒(3)包括上下两个测温孔；
(B)将碳化硅晶体(6)放置于石墨坩埚(4)中，并在碳化硅晶体(6)周围填充碳化硅粉末原料(5)；
(C)将步骤(B)中装有碳化硅晶体(6)和碳化硅粉末原料(5)的石墨坩埚(4)放入步骤(A)所述保温筒(3)中，得到保温热场；
(D)将步骤(C)所述保温热场放入退火设备中进行抽真空，之后通入惰性气体或氮气；
(E)在惰性气体或氮气保护氛围下，对退火设备进行升温，调整线圈(1)与石墨坩埚(4)的相对位置，使得上测温仪(8)和下测温仪(7)的温差绝对值小于30℃，优选为小于20℃，进一步优选为小于5℃；
(F)对退火设备进行降温，降至室温后，取出碳化硅晶体(6)。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(A)中，所述测温孔直径为5-50mm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(B)中，所述碳化硅粉末原料(5)的粒径为100-3000um。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(D)中，抽真空之后，退火设备中压力小于10Pa。
5.根据权利要1所述的方法，其特征在于，在步骤(D)中，充入惰性气体或氮气后，退火设备中压力为50000-70000pa。
6.根据权利要1或5所述的方法，其特征在于，在步骤(D)中，所述惰性气体为Ar或He。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(E)中，当所述上测温仪(8)的温度达到700℃以上时，根据上测温仪(8)和下测温仪(7)的温差调整线圈(1)与石墨坩埚(4)的相对位置。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(E)中，当所述上测温仪(8)的温度达到1500℃以上时，根据可编程逻辑控制器调整线圈(1)与石墨坩埚(4)的相对位置。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(F)中，退火设备降温速率为50-200℃/h。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(F)中，退火设备降温时间为5-30h。
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