[发明专利]一种硅基对位方法在审
| 申请号： | 201911095593.3 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN110760792A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 孙晨;吕磊;晋芳铭 | 申请（专利权）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/24;H01L51/56 |
| 代理公司： | 34107 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人： | 方文倩 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基对位方法，其特征在于，包括如下步骤：在硅基基板上制作对位标记；在掩膜板上开设掩膜板开孔；对位光源由上方照射，进行硅基基板上对位标记与下方掩膜板开孔对应抓取对位。本发明硅基对位方法，结构简单，可大大简化蒸镀结构，可实现精确的硅基对位，具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 对位 掩膜板 硅基 对位标记 硅基基板 开孔 抓取 对位光源 蒸镀 照射 制作 应用 | ||
【主权项】：
1.一种硅基对位方法，其特征在于，包括如下步骤：在硅基基板上制作对位标记；在掩膜板上开设掩膜板开孔；对位光源由上方照射，进行硅基基板上对位标记与下方掩膜板开孔对应抓取对位。/n
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