[发明专利]一种硅基对位方法在审
| 申请号： | 201911095593.3 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN110760792A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 孙晨;吕磊;晋芳铭 | 申请（专利权）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/24;H01L51/56 |
| 代理公司： | 34107 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人： | 方文倩 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对位 掩膜板 硅基 对位标记 硅基基板 开孔 抓取 对位光源 蒸镀 照射 制作 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基对位方法，其特征在于，包括如下步骤：在硅基基板上制作对位标记；在掩膜板上开设掩膜板开孔；对位光源由上方照射，进行硅基基板上对位标记与下方掩膜板开孔对应抓取对位。
2.按照权利要求1所述的硅基对位方法，其特征在于：在所述硅基基板上设有基板开孔，在所述硅基基板上挖孔时形成十字型预留标记。
3.按照权利要求2所述的硅基对位方法，其特征在于：所述对位标记包括设于所述硅基基板上的预留标记，在所述预留标记上涂金属镀层形成所述对位标记。
4.按照权利要求3所述的硅基对位方法，其特征在于：所述金属镀层在金属阳极制作时镀上。
5.按照权利要求1所述的硅基对位方法，其特征在于：所述掩膜板开孔外边缘尺寸小于硅基基板上基板开孔的外边缘尺寸。
6.按照权利要求1所述的硅基对位方法，其特征在于：对位时，对位光源由上方穿过硅基基板上的基板开孔，对位标记中心与下方掩膜板开孔重合即完成硅基对位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽熙泰智能科技有限公司，未经安徽熙泰智能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911095593.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
