[发明专利]InAs/InSb复合型量子点及其生长方法在审
| 申请号： | 201911093961.0 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110797751A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 袁野;牛智川;苏向斌;杨成奥;张宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种InAs/InSb复合型量子点及其生长方法，该生长方法包括对衬底进行脱氧处理，得到第一衬底；在第一衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长InAs/InSb复合型量子点层；在InAs/InSb复合型量子点层上生长盖层，即完成所述InAs/InSb复合型量子点的生长。本发明采用新型的外延方式生长InAs/InSb复合型量子点，有效规避了InAsSb量子点外延时带来的表面活性剂效应，获得了良好的量子点形貌，同时也实现了量子点的能级改善，便于实现获得发光质量良好的长波长量子点。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 生长 衬底 量子点层 缓冲层 表面活性剂效应 外延方式生长 能级 形貌 生长盖层 脱氧处理 长波长 发光 | ||
【主权项】：
1.一种InAs/InSb复合型量子点的生长方法，包括：/n对衬底进行脱氧处理，得到第一衬底；/n在第一衬底上生长缓冲层；/n在缓冲层上生长InAs/InSb复合型量子点层；/n在InAs/InSb复合型量子点层上生长盖层，即完成所述InAs/InSb复合型量子点的生长。/n
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