[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201911088735.3 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111180576A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 飞冈孝明 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;G01R33/07 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;申屠伟进 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置具有第1导电型的半导体衬底和设置在半导体衬底上的纵型霍尔元件，纵型霍尔元件具备：第2导电型的半导体层，设置在半导体衬底上；第2导电型的杂质扩散层，设置在半导体层的上部且与半导体层相比为高浓度；由第2导电型的杂质区域构成的多个电极，设置在杂质扩散层的表面，并以在一条直线上排列的方式配置，所述第2导电型的杂质区域与杂质扩散层相比为高浓度；多个第1导电型的电极分离扩散层，分别设置在多个电极的各电极间，使多个电极分别分离；以及由第2导电型的杂质区域构成的埋入层，设置在半导体衬底与半导体层之间，第2导电型的杂质区域与半导体层相比为高浓度且与杂质扩散层相比为低浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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