[发明专利]基于高频层压技术的Ka频段宽带低剖面双线极化微带天线有效
申请号: | 201911079247.6 | 申请日: | 2019-11-07 |
公开(公告)号: | CN110797640B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 王元源;雷国忠;华根瑞;赵迎超 | 申请(专利权)人: | 西安电子工程研究所 |
主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q15/24;H01Q19/10;H01Q1/52;H01Q1/22 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 刘新琼 |
地址: | 710100 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种基于高频层压技术的Ka频段宽带低剖面双线极化微带天线,馈电结构由八边形地板耦合腔,带状线双极化馈线,金属化馈电过孔以及金属地板圆形开孔共同构成,带状线双极化馈线终端为渐变耦合端,与八边形地板耦合腔形成多谐振多层耦合结构;金属化馈电过孔穿过多层高频介质板及内金属地板上的圆形开孔,将信号由带状线层垂直传输至天线底部;SSMP连接器的内导体插入金属化馈电过孔中,外导体与底层金属地板焊接,以此作为该天线的对外电气接口。该天线结构紧凑尺寸小,易集成,成本低廉,加工难度低,在宽频带工作的同时,具备双线极化辐射特性,能够满足Ka频段宽带相控阵系统或通信系统的应用需求。 | ||
搜索关键词: | 基于 高频 层压 技术 ka 频段 宽带 剖面 双线 极化 微带 天线 | ||
【主权项】:
1.一种基于高频层压技术的Ka频段宽带低剖面双线极化微带天线,其特征在于由六层高频介质板通过半固化片层压构成,由上至下包括顶层辐射贴片介质板(1a)、中间第一层介质板(1b)、中间第二层介质板(1c)、中间第三层介质板(1d)、中间第四层介质板(1e)和底层反射腔介质板(1f),在顶层辐射贴片介质板(1a)的上表面中间设有方形寄生辐射贴片(2),下表面设有第一层内层金属地板(3a),在第一层内层金属地板(3a)中间设有第一八边形地板耦合腔(4a),在中间第二层介质板(1c)的上表面设有第一带状线双极化馈线(5a),在中间第二层介质板(1c)的下表面设有第二层内层金属地板(3b),在第二层内层金属地板(3b)中间设有第二八边形地板耦合腔(4b),在中间第四层介质板(1e)的上表面上设有第二带状线双极化馈线(5b),在中间第四层介质板(1e)的下表面上设有第三层内层金属地板(3c),在第三层内层金属地板(3c)中间设有第三八边形地板耦合腔(4c),在底层反射腔介质板(1f)的下表面设有外层金属地板(9),在顶层辐射贴片介质板(1a)、中间第一层介质板(1b)、中间第二层介质板(1c)、中间第三层介质板(1d)、中间第四层介质板(1e)和底层反射腔介质板(1f)的周边设有金属化隔离过孔阵列(8),在中间第二层介质板(1c)、中间第三层介质板(1d)中间第四层介质板(1e)和底层反射腔介质板(1f)上设有第二金属化馈电过孔(7b);所述的第一带状线双极化馈线(5a)包括第一圆形焊盘(5a-1)、第一带状线传输线(5a-2)和第一耦合端(5a-3),所述的第二带状线双极化馈线(5b)包括第二圆形焊盘(5b-1)、第二带状线传输线(5b-2)和第二耦合端(5b-3),第二带状线双极化馈线(5b)与第一带状线双极化馈线(5a)成90度放置,圆形焊盘(5a-1)与第一金属化馈电过孔(7a)连接,第一SSMP连接器(10a)的内导体插入第一金属化馈电过孔(7a)中,共同形成对应一个单极化信号的传输馈电结构,而第二圆形焊盘(5b-1)与第二金属化馈电过孔(7b)连接,第二SSMP连接器(10b)的内导体插入第二金属化馈电过孔(7b)中,共同形成对应另一个单极化信号的传输馈电结构;第一耦合端(5a-3)和第二耦合端(5b-3)为梯形渐变线形式,伸入第一八边形地板耦合腔(4a)的投影范围内,第一八边形地板耦合腔(4a)、第二八边形地板耦合腔(4b)和第三八边形地板耦合腔(4c)的形状大小一致,在第二层内层金属地板(3b)上设有避让第一金属化馈电过孔(7a)和第二金属化馈电过孔(7b)的第一金属地板圆形开孔(6a),在第三层内层金属地板(3c)上设有避让第一金属化馈电过孔(7a)和第二金属化馈电过孔(7b)的第二层金属地板圆形开孔(6b),在外层金属地板(9)上设有避让第一金属化馈电过孔(7a)和第二金属化馈电过孔(7b)的第三金属地板圆形开孔(6c)。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子工程研究所,未经西安电子工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911079247.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。