[发明专利]一种发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201911078014.4 | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN110752278A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;蔡建九;曲晓东;赵斌 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其外延层结构包括：从下至上依次叠加于所述衬底上的N型半导体层、有源区、P型半导体层；首先，通过设置N型电极扩展条与P型电极扩展条在水平方向的位置重叠，减少电极挡光面积；其次，通过在第二隔离层、第三隔离层特定位置设有若干贯穿隔离层的导电通孔，提升电流扩展效果，提高发光效率；通过第一隔离层、第三隔离层，使N型电极绝缘于第一透明导电层及第二透明导电层，有效避免发光二极管的漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离层 发光二极管 透明导电层 挡光 外延层结构 漏电 导电通孔 电流扩展 发光效率 位置重叠 依次叠加 电极 衬底 绝缘 源区 贯穿 制作 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：/n衬底；/n设置在所述衬底表面的外延层结构；所述外延层结构包括：从下至上依次叠加于所述衬底上的N型半导体层、有源区、P型半导体层；/n所述P型半导体层的上表面设有向所述N型半导体层延伸的凹槽，并显露所述N型半导体层；所述凹槽内的所述N型半导体层表面设有N型焊盘电极和N型电极扩展条；所述N型焊盘电极和所述N型电极扩展条形成电连接，构成N型电极，所述N型电极与所述凹槽的侧壁距离设置；/n所述凹槽的侧壁与N型电极之间、所述N型电极扩展条的上表面设有第一隔离层；所述第一隔离层背离N型电极扩展条上表面的一侧及所述P型半导体层上设有第一透明导电层，所述第一透明导电层与所述P型半导体层形成电连接；所述第一透明导电层上设有P型电极扩展条和P型焊盘电极,且所述P型焊盘电极和所述P型电极扩展条形成电连接，构成P型电极；/n所述N型电极扩展条与所述P型电极扩展条在水平方向的位置重叠；/n所述N型电极与所述P型电极之间、所述N型电极与所述第一透明导电层之间的距离设置。/n
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