[发明专利]接触孔结构的形成方法及该接触孔结构在审

申请号：	201911052495.1	申请日：	2019-10-31
公开（公告）号：	CN110752183A	公开（公告）日：	2020-02-04
发明（设计）人：	鲍宇	申请（专利权）人：	上海华力集成电路制造有限公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768;H01L23/538
代理公司：	31211 上海浦一知识产权代理有限公司	代理人：	戴广志
地址：	201203***	国省代码：	上海;31
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本申请公开了一种接触孔结构的形成方法及该接触孔结构，包括：在介质层上形成凹槽；依次在凹槽的底部和侧壁形成扩散阻挡层和浸润层，浸润层的在形成的过程中在凹槽的开口处形成突起结构；对浸润层进行回刻蚀以去除突起结构；在扩散阻挡层和浸润层的表面沉积铜籽晶；在铜籽晶上形成铜层，该铜层填充凹槽；对凹槽外剩余的扩散阻挡层和铜层进行去除处理。本申请通过在接触孔的凹槽的底部和侧壁形成扩散阻挡层和浸润层后，对浸润层进行回刻蚀以去除突起结构，从而扩大了凹槽的开口尺寸，便于后续的导电材料填充，解决了因为浸润层的突起结构导致凹槽开口尺寸较小所带来的器件制造良率较低的问题，在一定程度上提高了器件制造的良率。
搜索关键词：	浸润层扩散阻挡层突起结构接触孔铜层去除器件制造回刻蚀铜籽晶侧壁良率导电材料填充凹槽开口表面沉积介质层开口处填充申请开口
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种接触孔结构的形成方法，其特征在于，包括：/n在介质层上形成凹槽；/n依次在所述凹槽的底部和侧壁形成扩散阻挡层和浸润层，所述浸润层的在形成的过程中在所述凹槽的开口处形成突起结构；/n对所述浸润层进行回刻蚀以去除所述突起结构；/n在所述扩散阻挡层和所述浸润层的表面沉积铜籽晶；/n在所述铜籽晶上形成铜层，所述铜层填充所述凹槽；/n对所述凹槽外剩余的扩散阻挡层和铜层进行去除处理。/n

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911052495.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]接触孔结构的形成方法及该接触孔结构在审

专利文献下载