[发明专利]一种性能可调的晶体管有效
| 申请号： | 201911050394.0 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111029409B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种性能可调的晶体管，包括源极、漏极和栅区，所述栅区自下而上包括背电极、栅极介质层、沟道层、铁电材料层和上电极，其中，所述沟道层的左右两侧分别连接至源极和漏极，所述上电极与源极通过隔离介质层隔离，所述上电极与漏极通过隔离介质层隔离；所述上电极中包括M个隔离层，所述隔离层将所述上电极划分为M+1个区域；通过在上电极不同区域施加不同电压，使得对应于铁电材料层不同区域的沟道层具有不同带隙。本发明提供的一种性能可调的晶体管，通过分段极化控制，对沟道层中不同区域分别进行带隙调整，使得不同区域的沟道层具有不同带隙，从而实现整个晶体管的多重可控状态。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 可调 晶体管 | ||
【主权项】：
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