[发明专利]一种半导体光敏剂AgBiS2有效

专利信息
申请号: 201911046464.5 申请日: 2019-10-30
公开(公告)号: CN110950383B 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 李薇馨;葛静;赵雷;陈辉;方伟;何漩 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: C01G29/00 分类号: C01G29/00;C09K11/74;B82Y40/00
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种半导体光敏剂AgBiS2量子点及其制备方法。其技术方案是:按照银盐∶铋盐的物质的量的比为1∶(1~4)混合,得混合料;再按浓度为0.19~0.21mol/L,将混合料与油胺混合,在氮气气氛、100~120℃和500~800r/min的条件下搅拌,得含Ag+和Bi3+的混合前驱体溶液。按浓度为0.39~0.41mol/L,将升华硫和1‑十八烯混合,于相同条件下搅拌,制得硫的前驱体溶液。在190~210℃和氮气气氛条件下,按照含Ag+和Bi3+的混合前驱体溶液∶硫的前驱体溶液的体积比为1∶(0.9~1.1)混合,在500~800r/min条件下搅拌8~10min,制得半导体光敏剂AgBiS2量子点。本发明所制制品尺寸可控、表面缺陷少和光响应能力优良,有利于在量子点敏化太阳能电池中的应用。
搜索关键词: 一种 半导体 光敏剂 agbis base sub
【主权项】:
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