[发明专利]发光双极晶体管在审
| 申请号： | 201911043374.0 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111129059A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 安妮斯·达米;亚历山大·费龙;奥雷连·舒母 | 申请（专利权）人： | 法国原子能源和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L29/06;H01L29/732;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 崔雁;吴东亮 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 发光双极晶体管(100)，至少包括：掺杂半导体第一部分、掺杂半导体第二部分和掺杂半导体第三部分(102、104、106)，其分别形成发光双极晶体管(100)的集电极、基极和发射极；至少一个量子阱(110)，其布置在第一部分(102)中并且在由第一部分(102)的掺杂半导体形成的两个第一势垒层(111)之间；并且其中，第一部分(111)的掺杂半导体的能带的能级高于形成量子阱(110)的半导体的能带的能级，该量子阱(110)被配置成产生双极晶体管的光发射。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 双极晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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