[发明专利]一种集中衰减器及包括其的行波管在审
| 申请号： | 201911042430.9 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110767971A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 杜英华;蔡军;董芮彤 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十二研究所 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22;H01J25/34 |
| 代理公司： | 11257 北京正理专利代理有限公司 | 代理人： | 王喆 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明专利公开一种集中衰减器及包括其的行波管，所述集中衰减器包括厚度一致的基板，以及形成在基板中自一侧沿长度方向延伸的凹槽，所述凹槽的长度小于所述集中衰减器的长度。本发明提供的集中衰减器，无需在高度方向加工出楔形渐变过渡结构，而仅需在平面进行椭圆形开槽，加工简单且易于实现，可有效提高加工效率，而且该结构可增强集中衰减器的整体结构强度，防止使用过程中集中衰减器结构断裂或者变形导致的匹配变差；另外，本发明专利提供的集中衰减器可有效降低在全频带内特别是低频端的驻波系数，减小对电磁波的扰动，提高集中衰减器吸收微波功率的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 衰减器 基板 长度方向延伸 衰减器结构 椭圆形开槽 厚度一致 加工效率 渐变过渡 吸收微波 驻波系数 电磁波 全频带 行波管 扰动 变差 减小 楔形 加工 匹配 断裂 变形 | ||
【主权项】：
1.一种集中衰减器，其特征在于，所述集中衰减器包括厚度一致的基板，以及形成在基板中自一侧沿长度方向延伸的凹槽，所述凹槽的长度小于所述集中衰减器的长度。/n
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