[发明专利]背沟道蚀刻型结构有源层为IGZO的TFT器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201911035653.2 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110828579B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 吴伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/027 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 黄灵飞 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种背沟道蚀刻型结构有源层为IGZO的TFT器件及其制作方法，其特征在于，包含提供一基板，沉积一第一金属层于所述基板上，所述第一金属层透过图案化工艺，形成一栅极和一第一电极层，沉积一栅极绝缘层于所述基板、所述栅极和所述第一电极层上，所述栅极绝缘层透过蚀刻工艺，去除所述第一电极层表面上部份的所述栅极绝缘层，沉积一有源层于所述第一电极层和所述栅极绝缘层上，所述有源层和所述第一电极层直接接触，沉积一第二金属层于所述有源层上，所述第二金属层透过图案化工艺，形成一源极、一漏极和一第二电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 蚀刻 结构 有源 igzo tft 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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