[发明专利]一种晶界层电容器的制备方法有效
| 申请号： | 201911033493.8 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110808163B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张木森;何创创;杨昌平;庞锦标;肖海波;王学杰;王瑞龙;杨俊 | 申请（专利权）人： | 湖北大学;贵州振华电子信息产业技术研究有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/005;C04B35/47;C04B35/622;C04B41/88 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 赵徐平 |
| 地址： | 430062 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种晶界层电容器的制备方法，具体步骤为：以SrCO |
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| 搜索关键词： | 一种 晶界层 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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