[发明专利]集成于纳米线的片上光谱仪及其探测器阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201911028756.6 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110734036B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 王肖沐;王军转;李泠霏;郑斌杰 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人： | 缪友建 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出一种集成于单根半导体纳米线的片上光谱仪，涉及到器件设计、器件制备方法和光谱仪工作原理等几个方面。基于半导体纳米线材料和电极金属的物性特点，合理设计集成于单根半导体纳米线的肖特基结型探测器阵列，待探测光通过设计的耦合器耦合进具有高反射率的半导体纳米线波导里面，肖特基二极管的高灵敏度以及波导增强的光和物质作用共同决定了器件具有高的光电探测率，可以探测弱光信号，从而实现芯片集成的微型光谱仪；本发明公开的这种宽光谱高探测率的片上光谱仪,能够检测微型结构、材料拉曼以及荧光，在生物医学、物联网涉及微型光谱检测领域有着重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 纳米 光谱仪 及其 探测器 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.集成于纳米线的片上光谱仪，其特征在于：包括集成于单根带隙渐变的半导体纳米线的肖特基探测器阵列，用以实现微型芯片集成的光谱探测；所述肖特基探测器阵列中的待探测光从所述带隙渐变的半导体纳米线端口入射，通过波导耦合方式沿纳米线传播检测；所述带隙渐变的半导体纳米线直径在100-1000nm，长度从几微米到几百微米量级。/n
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