[发明专利]SOI的制造方法在审
| 申请号： | 201911028148.5 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110752182A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 秦英涵 | 申请（专利权）人： | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 11340 北京天奇智新知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙涛 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SOI的制造方法，包括：切割第一硅片的第一表面的边缘，以在第一硅片的第一表面的周向上形成工艺切口；氧化第一硅片的第一表面，以在第一硅片上形成氧化层；将氢离子注入至第一硅片内；将第二硅片与氧化层相贴合，并键合第一硅片和第二硅片，以得到键合片；将键合片退火，退火温度为第一温度，退火时长为第一时长；将键合片裂片；将裂片后的键合片退火，退火温度为第二温度，退火时长为第二时长；抛光裂片后的键合片至预设厚度，以得到SOI。本发明所提供的SOI的制造方法，在第一硅片的第一表面的周向上形成工艺切口，消除键合不良位置，提升边缘的键合力。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 退火 键合片 第一表面 时长 裂片 工艺切口 氧化层 氢离子 不良位置 键合力 消除键 抛光 键合 贴合 预设 切割 制造 | ||
【主权项】：
1.一种SOI的制造方法，其特征在于，包括：/n切割第一硅片的第一表面的边缘，以在所述第一硅片的第一表面的周向上形成工艺切口；/n氧化所述第一硅片的第一表面，以在所述第一硅片上形成氧化层；/n将氢离子注入至所述第一硅片内；/n将第二硅片与所述氧化层相贴合，并键合所述第一硅片和第二硅片，以得到键合片；/n将所述键合片退火，退火温度为第一温度，退火时长为第一时长；/n将所述键合片裂片；/n将裂片后的键合片退火，退火温度为第二温度，退火时长为第二时长；/n抛光所述裂片后的键合片至预设厚度，以得到所述SOI。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
