[发明专利]一种双向可控硅静电防护器件

摘要

本发明实施例提供一种双向可控硅静电防护器件，包括：P型衬底，P型衬底内设有P+注入区、N型埋层及P+注入区，N型埋层上方设有第一N型深阱、第一P阱、N阱、第二P阱及第二N型深阱，第一P阱内设有位置跨在第一N型深阱与第一P阱上的P+注入区、N+注入区及P+注入区，第二P阱内设有P+注入区、N+注入区及位置跨在第二第P阱与第二N型深阱上的P+注入区；如此，该可控硅静电防护器件能基于标准CMOS工艺且片上集成，并且能够在不增加DDSCR器件面积的同时有效的提高DDSCR的维持电压，进而提高片上集成静电防护器件的鲁棒性。

主权项

1.一种双向可控硅静电防护器件，其特征在于，包括：/nP型衬底101，所述P型衬底101内从左到右依次设有P+注入区601、N型埋层201及P+注入区608，所述N型埋层201上方从左到右依次设有第一N型深阱501、第一P阱401、N阱301、第二P阱402及第二N型深阱502，所述第一P阱401内从左到右依次设有位置跨在所述第一N型深阱501与所述第一P阱401上的P+注入区602、N+注入区603及P+注入区604，所述第二P阱401内从左到右依次设有P+注入区605、N+注入区606及位置跨在所述第二第P阱402与所述第二N型深阱502上的P+注入区607；其中，所述N型深阱502与所述P阱402组成正向路径反向击穿面D2，所述N型深阱501与所述P阱401组成反向路径反向击穿面D1，所述N+注入区603与所述P+注入区604分别连接阳极，所述P+注入区605和所述N+注入区606分别连接阴极。/n