[发明专利]一种晶圆切割及分离的加工工艺方法在审
申请号: | 201911017463.8 | 申请日: | 2019-10-24 |
公开(公告)号: | CN110729186A | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
发明(设计)人: | 陈光春 | 申请(专利权)人: | 东莞记忆存储科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/304 |
代理公司: | 44242 深圳市精英专利事务所 | 代理人: | 巫苑明 |
地址: | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种晶圆切割及分离的加工工艺方法,包括:在晶圆的正面贴附研磨胶纸,并将晶圆固定在研磨台上;对晶圆的背面进行研磨,达到预设目标厚度后,在晶圆背面贴附胶膜层;将晶圆固定在晶圆架环上,去除晶圆正面的研磨胶纸,在晶圆正面涂覆切割保护液;沿晶圆多条纵向预切割痕和横向预切割痕从晶圆正面由上往下切割,使晶圆切透至胶膜层;对晶圆正面进行清洗,去除切割保护液;对晶圆进行低温固化处理,再进行冷扩张,以使胶膜层随已切割的晶圆颗粒一起分离;对分离后的晶圆颗粒和胶膜层进行热回缩处理。本发明提高了晶圆的切割分离质量,提高了单个晶圆颗粒的强度,提高了封装良率,降低了设备真空报警频率,提高了生产效率。 | ||
搜索关键词: | 晶圆 晶圆正面 研磨 切割 胶膜层 晶圆颗粒 保护液 预切割 胶纸 去除 贴附 报警频率 低温固化 晶圆背面 切割分离 设备真空 生产效率 预设目标 架环 良率 涂覆 种晶 封装 背面 清洗 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆切割及分离的加工工艺方法,其特征在于,包括以下步骤:/n在晶圆的正面贴附研磨胶纸,并将晶圆固定在研磨台上;/n对晶圆的背面进行研磨,达到预设目标厚度后,在研磨后的晶圆背面贴附胶膜层;/n将晶圆固定在晶圆架环上,去除晶圆正面的研磨胶纸,在晶圆正面涂覆切割保护液;/n采用等离子沿晶圆多条纵向预切割痕和横向预切割痕从晶圆正面由上往下多次切割,使晶圆切透至胶膜层;/n对晶圆正面进行清洗,去除晶圆正面的切割保护液;/n对晶圆进行低温固化处理,再对晶圆和胶膜层进行冷扩张,以使胶膜层随已切割的晶圆颗粒一起分离;/n对分离后的晶圆颗粒和胶膜层进行热回缩处理,以使胶膜层与晶圆颗粒分离。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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