[发明专利]一种深紫外LED芯片制造方法

摘要

本专利公开了一种深紫外LED芯片制造方法，所述方法包括：对超晶格生长层中的Al组份进行精确控制，以实现AlXGa1‑XN/AlYGa1‑YN结构中Al组份渐变的生长方式。在生长过程中，对生长温度和生长压力进行单一循环周期内稳定，周期间逐步降温、升压的方式，控制超晶格缓冲层的生长，从而获得低穿透位错密度和生长无龟裂高晶体质量的AlGaN外延层，并且在n型AlGaN生长过程中使用SiH4高低浓度掺杂周期渐变的生长方式，有效解决了连续不变浓度SiH4掺杂造成的AlGaN晶体质量下降的问题，从而为高光功率输出的UVC‑LED外延结构提供高质量低开裂的N型AlGaN电极接触层。