[发明专利]一种N型TOPCon太阳能电池制备方法

摘要

本发明涉及一种N型TOPCon太阳能电池制备方法，通过先制备背表面超薄氧化层和重掺杂的本征非晶硅层，然后通过扩散制备正表面p+掺杂层，同时高温激活背面掺杂原子，使非晶硅层转化为多晶硅层，最后通过制备钝化减反膜和钝化膜、以及金属化工序，完成N型TOPCon太阳能电池的制备。本发明通过一步高温工艺实现正表面p+掺杂层和背表面n+重掺杂的多晶硅层，与传统的两步高温工艺的方法相比，本发明减小了对硅基体的损伤；本发明利用制绒的同时去除Poly绕镀的工艺方法，减少了去除绕镀的工序，同时，此工艺方法减小了绕镀区域与非绕镀区域表面结构的差异，从而有利于提高良率，降低生产成本。

主权项

1.一种N型TOPCon太阳能电池制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)、选择N型晶体硅基体，并对N型晶体硅基体的背表面作粗抛处理；/n(2)、在步骤(1)处理后的N型晶体硅基体的背表面先生长一层隧穿氧化层，接着在所述隧穿氧化层沉积一层含有微晶相的本征非晶硅层，然后进行掺杂处理，并进行沉积后，在所述本征非晶硅层上生长一层掩膜；/n(3)将步骤(2)处理后的N型晶体硅基体的正表面进行制绒处理，并同时去除绕镀；/n(4)将步骤(3)处理后的N型晶体硅基体的制绒面进行硼扩散处理，以在N型晶体硅基体的制绒面形成正面的p+掺杂层，并在正面的p+掺杂层上形成硼硅玻璃层；高温会激活N型晶体硅基体背表面的掺杂原子，使N型晶体硅基体的背表面的微晶硅相转变为多晶硅相，完成晶化，形成多晶硅层；/n(5)去除步骤(4)处理后的N型晶体硅基体背面的掩膜层和正面的硼硅玻璃层；/n(6)在步骤(5)处理后的N型晶体硅基体的正表面制备钝化减反膜，在N型晶体硅基体的背表面制备钝化膜；/n(7)在步骤(6)处理后的N型晶体硅基体的背表面使用银浆印刷背面主栅和背面副栅，并进行烘干，在正表面使用掺铝银浆印刷正面主栅和正面副栅，并进行烘干；/n(8)将步骤(7)处理后的N型晶体硅基体进行烧结。/n