[发明专利]一种SiC MOSFET浪涌性能测试方法有效
| 申请号： | 201911011971.5 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110794278B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 李焕;王珏;杭国强;李正豪;于浩 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC MOSFET浪涌性能的测试方法。将场效应管器件放置在测试探针台上，连接浪涌电流产生电路和驱动电路，设置输出电流幅值和周期并施加到场效应管器件进行浪涌测试，测量得到不同幅值浪涌电流下的源漏电压、经过浪涌测试后器件的栅源电阻以及浪涌测试前和浪涌测试后的转移特性曲线，转移特性曲线的横纵坐标分别为源漏电压和漏极电流；利用浪涌电流产生电路产生浪涌电流，在浪涌电流通过器件后，器件在电学特性上会发生变化，根据电学特性的变化来判断器件是否失效。本发明提供了一种简单可靠的测试SiC MOSFET浪涌可靠性的方法，可有效得到SiC MOSFET场效应管器件的浪涌性能和数据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 浪涌 性能 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC MOSFET浪涌性能测试方法，其特征在于包括：/n步骤一：选取一个场效应管器件，将场效应管器件放置在测试探针台上，打开抽真空装置，将场效应管器件吸附在测试探针台上，测试探针台的测试探针分别与场效应管器件的栅极、源极、漏极连接；/n步骤二：将浪涌电流产生电路的输出端接在场效应管器件的源极和漏极，场效应管器件的栅极和源极之间通过驱动电路短接；/n步骤三：设置好浪涌电流产生电路的输出电流幅值和周期并施加到场效应管器件进行浪涌测试，利用测试探针台的探针对场效应管器件进行测量得到通过器件的浪涌电流幅值、不同幅值浪涌电流下的源漏电压、经过浪涌测试后器件的栅源电阻；在连接浪涌电流产生电路进行浪涌测试前后，分别利用测试探针台的探针对场效应管器件进行测量获得浪涌测试前和浪涌测试后的转移特性曲线，转移特性曲线的横纵坐标分别为源漏电压和漏极电流；/n步骤四：根据源漏电压、栅源电阻和转移特性曲线的变化情况，判断场效应管器件是否发生浪涌失效。/n
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