[发明专利]基于掺硼硅量子点增强吸收型的光电探测器及系统

摘要

本发明涉及一种基于掺硼硅量子点增强吸收型的光电探测器及系统，具体而言，涉及光电测量领域。该光电探测器包括：衬底、石墨烯层、第一掺硼硅量子点、第一电极、第二电极、第一隔离层和第二隔离层；当光线照射到该光电探测器上时，该石墨烯层、该第一掺硼硅量子点和该衬底对光线进行吸收，该光电探测器中产生很多的空穴，多个空穴在第一掺硼硅量子点中被缺陷态捕获，电荷在电场作用下被快速抽离，少数载流子被释放前，相当于电荷在回路中被多次循环，进而该光电探测器上形成了很大的电流，通过该电流与该光电探测器光的吸收率的对应关系，得到该光电探测器光的吸收率。

主权项

1.一种基于掺硼硅量子点增强吸收型的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括：衬底、石墨烯层、第一掺硼硅量子点、第一电极、第二电极、第一隔离层和第二隔离层；/n所述衬底的一侧设置有所述石墨烯层，所述石墨烯层远离所述衬底的一侧设置有所述第一掺硼硅量子点、所述第一电极和所述第二电极，且所述第一电极和所述第二电极设置在所述石墨烯层的两端，所述第一掺硼硅量子点设置在所述石墨烯层的中间位置，所述石墨烯层靠近所述衬底的一侧，与所述第一电极和第二电极对应的位置分别设置有所述第一隔离层和所述第二隔离层。/n