[发明专利]基于掺硼硅量子点增强吸收型的光电探测器及系统

权利要求书

1.一种基于掺硼硅量子点增强吸收型的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括：衬底、石墨烯层、第一掺硼硅量子点、第一电极、第二电极、第一隔离层和第二隔离层；

所述衬底的一侧设置有所述石墨烯层，所述石墨烯层远离所述衬底的一侧设置有所述第一掺硼硅量子点、所述第一电极和所述第二电极，且所述第一电极和所述第二电极设置在所述石墨烯层的两端，所述第一掺硼硅量子点设置在所述石墨烯层的中间位置，所述石墨烯层靠近所述衬底的一侧，与所述第一电极和第二电极对应的位置分别设置有所述第一隔离层和所述第二隔离层；

所述衬底上设置多个凸起，多个所述凸起之间形成多个凹槽；

多个所述凹槽的形状为梯形，其中，所述凹槽靠近所述石墨烯层的一端的表面积小于于远离所述石墨烯层的一端。

2.根据权利要求1所述的基于掺硼硅量子点增强吸收型的光电探测器，其特征在于，所述石墨烯层、所述第一掺硼硅量子点和多个所述凹槽周期设置有多个位置相对的孔洞。

3.根据权利要求2所述的基于掺硼硅量子点增强吸收型的光电探测器，其特征在于，所述石墨烯层和所述第一掺硼硅量子点上的孔洞的直径小于多个所述凹槽上的孔洞直径。

4.根据权利要求1所述的基于掺硼硅量子点增强吸收型的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器还包括第二掺硼硅量子点，所述第二掺硼硅量子点设置在所述石墨烯层远离所述第一掺硼硅量子点的一侧。

5.根据权利要求1所述的基于掺硼硅量子点增强吸收型的光电探测器，其特征在于，所述衬底的材料为硅或者硼。

6.根据权利要求1所述的基于掺硼硅量子点增强吸收型的光电探测器，其特征在于，所述第一隔离层和所述第二隔离层的材料均为二氧化硅。

7.一种基于掺硼硅量子点增强吸收型的光电探测系统，其特征在于，所述光电探测系统包括：电流接收装置和权利要求1-6任意一项所述的光电探测器，所述电流接收装置的正极和负极分别与所述光电探测器的第一电极和第二电极电连接。

8.根据权利要求7所述的基于掺硼硅量子点增强吸收型的光电探测系统，其特征在于，所述电流接收装置包括：电流表、点压表和电能表中任意一种。