[发明专利]一种非卤素铅掺杂的钙钛矿薄膜、制备方法及其应用有效

专利信息
申请号: 201911006069.4 申请日: 2019-10-22
公开(公告)号: CN110767809B 公开(公告)日: 2023-02-07
发明(设计)人: 王照奎;廖良生;董翀 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H10K30/10 分类号: H10K30/10;H10K71/12;H10K71/40;H10K85/50
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 曹毅;尹红红
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于太阳能电池领域,具体公开了一种非卤素铅掺杂的钙钛矿薄膜、制备方法及其应用,所述的钙钛矿薄膜由钙钛矿前驱体溶液添加草酸铅制备而成。在所述的制备方法中,钙钛矿前驱体溶液中添加微量草酸铅,通过低温溶液处理法来旋涂得到太阳能电池中的钙钛矿薄膜层,进而减缓钙钛矿材料的结晶过程,从而获得晶粒更大,晶界更少的薄膜。本发明的制备工艺简单,节约生产成本;同时,可以很好地改善钙钛矿薄膜的结晶情况,减少缺陷的产生,进而抑制载流子复合,有利于提高器件性能。同时,应用该方法得到的室内钙钛矿太阳能电池在未来室内低光照供电方面具有很大前景。
搜索关键词: 一种 卤素 掺杂 钙钛矿 薄膜 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
1.一种非卤素铅掺杂的钙钛矿薄膜,其特征在于,所述的钙钛矿薄膜由钙钛矿前驱体溶液添加草酸铅制备而成。/n
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