[发明专利]一种基于氮化镓/铝镓氮异质结的磁场传感器在审
| 申请号： | 201911004795.2 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110783450A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 万景;刘冉;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/14;G01R33/07 |
| 代理公司： | 11226 北京中知法苑知识产权代理有限公司 | 代理人： | 阎冬 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出的新型磁场传感器直接将磁敏感晶体管与电阻形成的差分放大电路集成在氮化镓/铝镓氮的高电子迁移率的异质结衬底上，将传感与放大部分集成，无需额外的传感器。其具有体积小，集成度高的优点。此外，由于本发明的磁场传感器建立在氮化硅/铝镓氮衬底上，高电子迁移率带来高灵敏度的优点，而宽禁带使得器件具有耐高温和环境干扰的特性。此外，本发明的磁场传感器还可以与其他功能部件，如射频模块等，共集成在同一衬底上，从而实现具有不同功能应用的系统。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场传感器 衬底 电子迁移率 铝镓氮 差分放大电路 高灵敏度 功能部件 功能应用 环境干扰 射频模块 集成度 磁敏感 氮化硅 氮化镓 宽禁带 耐高温 体积小 异质结 传感器 晶体管 传感 电阻 | ||
【主权项】：
1.一种基于氮化镓/铝镓氮异质高电子迁移率衬底的集成式半导体磁场传感器电路，其特征在于，该传感器电路至少包括：第一直流电压源，接地端，第一输出端，第二输出端，第一磁敏感晶体管，第二磁敏感晶体管，以及第一电阻和第二电阻，其中：/n所述第一电阻与所述第二电阻的一端均与所述第一直流电压源连接，所述第一电阻的另一端通过第一输出端与第一磁敏感晶体管的漏极相连，所述第二电阻的另一端通过第二输出端与第二磁敏感晶体管的漏极相连；/n所述第一磁敏感晶体管与所述第二磁敏感晶体管共用栅极和源极，所述第一磁敏感晶体管和所述第二磁敏感晶体管的源极连接接地端。/n
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