[发明专利]一种新型的半导体器件的终端结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910999623.7 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110676309A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 陈译;陈利;陈彬;陈剑 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361011 福建省厦门市中国(福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新型的半导体器件的终端结构及其制备方法，包括n‑衬底、P型扩散层、p+型表面扩散层、n+型表面扩散层、p+层、栅极氧化层、源极电极、栅极电极、漏极电极和窄宽沟道；所述栅极氧化层横跨在P型扩散层和窄宽沟道之间，上表面引出栅极电极；所述窄宽沟道用二氧化硅进行填充，并设置多列，相邻的窄宽沟道间由n‑衬底表面上形成的p+层进行连接；所述位于n‑衬底上表面另一侧的n+型表面扩散层表面引出漏极电极。本发明通过设置p+层(表面导电层)，用窄宽沟道型的终端结构来有效地减少芯片的终端面积，使最大电场强度降低，提高耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 宽沟道 表面扩散 栅极氧化层 漏极电极 栅极电极 终端结构 半导体器件 表面导电层 衬底上表面 有效地减少 衬底表面 二氧化硅 源极电极 上表面 衬底 多列 耐压 制备 填充 横跨 芯片 终端 | ||
【主权项】：
1.一种新型的半导体器件的终端结构，其特征在于：包括n-衬底（11）、P型扩散层（12）、p+型表面扩散层（13）、n+型表面扩散层（14、15）、p+层（16）、栅极氧化层（20）、源极电极（21）、栅极电极（22）、漏极电极（23）和窄宽沟道（25）；所述P型扩散层（12）位于n-衬底（11）上表面一侧的凹槽内，P型扩散层（12）上表面左右分别为p+型表面扩散层（13）和n+型表面扩散层（14），二者上表面引出源极电极（21）；所述栅极氧化层（20）横跨在P型扩散层（12）和窄宽沟道（25）之间，上表面引出栅极电极（22）；所述窄宽沟道（25）用二氧化硅进行填充，并设有多列，相邻的窄宽沟道（25）间由n-衬底（11）表面上形成的p+层(16)进行连接；所述位于n-衬底（11）上表面另一侧的n+型表面扩散层（15）表面引出漏极电极（23）。/n
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