[发明专利]一种基于深硅刻蚀的柔性硅片的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201910995909.8 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN111081541B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 彭英;苗蕾 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 | 代理人： | 方燕;莫瑶江 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于深硅刻蚀的柔性硅片及其制备方法。一种基于深硅刻蚀的柔性硅片的制备方法，包括如下步骤：将清洗后的硬质硅片非刻蚀面涂覆导热硅油，使硬质硅片吸附在工作台上，通过深硅刻蚀工艺刻蚀硬质硅片到设计厚度，所述的深硅刻蚀工艺参数为，刻蚀气体流量为80‑300sccm，保护气体的流量为10‑30sccm，工艺总时间为45‑90min，硅刻蚀速度为1‑10μm/min，待刻蚀完成后，去除刻蚀硅片上的导热硅油后，获得柔性硅片。本发明提出的柔型硅片的制备方法易于实现自动化操作，工艺稳定，适合大规模量产，且制备得到的柔性硅片柔韧性很好，能够满足柔性半导体器件的工艺需求，具有很好的推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 刻蚀 柔性 硅片 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学，未经桂林电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910995909.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
