[发明专利]一种高光电转化率钙钛矿电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201910989022.8 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110611031A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 曹晖;汪舒蓉;刘旭豪;刘洋洋;张明道;孙锦伟;陶涛 | 申请（专利权）人： | 南京信息工程大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 32238 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 张立荣;杭清涛 |
| 地址： | 210044 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高光电转化率钙钛矿电池及其制备方法，钙钛矿电池的结构依次为FTO导电玻璃层、电子传输层、钙钛矿吸光层、氯化锶薄膜层、空穴传输层和金电极层；电子传输层的材料为二氧化钛或二氧化锡。本发明的高光电转化率钙钛矿电池在钙钛矿吸光层表面上年制备了一层含有锶盐薄膜修饰层作为界面修饰层，形成了离子迁移的阻挡层。锶盐薄膜修饰层的增加显著提高了钙钛矿太阳能电池的光电性能，使得钙钛矿电池的光电转换效率能够达到21.11%，本发明钙钛矿电池的稳定性明显提高，有助于推动钙钛矿电池的商业化。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 电池 电子传输层 光电转化率 吸光层 修饰层 锶盐 薄膜 制备 光电转换效率 空穴传输层 太阳能电池 二氧化锡 二氧化钛 光电性能 界面修饰 金电极层 离子迁移 薄膜层 氯化锶 阻挡层 | ||
【主权项】：
1.一种高光电转化率钙钛矿电池，其特征在于，所述钙钛矿电池的结构依次为FTO导电玻璃层、电子传输层、钙钛矿吸光层、氯化锶薄膜层、空穴传输层和金电极层；所述电子传输层的材料为二氧化钛或二氧化锡。/n
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