[发明专利]一种NAND Flash时序测试方法有效
| 申请号： | 201910983809.3 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN110797076B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘琦;韦亚一;董立松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56;G06F11/22 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种NAND Flash时序测试方法，步骤包括：获取NAND Flash中所有存储数据；对此NAND Flash进行读操作，并移动采样脉冲位置，对读取数据进行采集，获得若干采集数据；将存储数据与采集数据进行比较，并将Page中每个字节的比较结果存储到错误捕捉存储器中；将错误捕捉存储器划分为多个区域，获取每个区域各自对应的数据有效窗口时间t |
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| 搜索关键词： | 一种 nand flash 时序 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种NAND Flash时序测试方法，其特征在于，步骤包括：/n获取NAND Flash的每一Page中所有的存储数据；/n对此所述NAND Flash的每一所述Page进行读操作，获得若干读取数据；并移动采样脉冲的位置，对所述读取数据进行采集，获得若干采集数据；/n将所述存储数据与采集数据进行比较，并将所述Page中每个字节的比较结果存储到错误捕捉存储器中；/n将所述错误捕捉存储器中存储的所有所述比较结果划分为多个区域，获取每个所述区域各自对应的数据有效窗口时间t
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