[发明专利]一种NAND Flash时序测试方法有效

专利信息
申请号: 201910983809.3 申请日: 2019-10-16
公开(公告)号: CN110797076B 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 刘琦;韦亚一;董立松 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56;G06F11/22
代理公司: 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 代理人: 王胜利
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 nand flash 时序 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种NAND Flash时序测试方法,其特征在于,步骤包括:

获取NAND Flash的每一Page中所有的存储数据;

对此所述NAND Flash的每一所述Page进行读操作,获得若干读取数据;并移动采样脉冲的位置,对所述读取数据进行采集,获得若干采集数据;

将所述存储数据与采集数据进行比较,并将所述Page中每个字节的比较结果存储到错误捕捉存储器中;

将所述错误捕捉存储器中存储的所有所述比较结果划分为多个区域,获取每个所述区域各自对应的数据有效窗口时间tDVW和数据有效区域时间tstrobe

根据每个所述区域各自对应的所述数据有效窗口时间tDVW和数据有效区域时间tstrobe,判断所述NAND Flash是否故障。

2.根据权利要求1所述的NAND Flash时序测试方法,其特征在于,将所述错误捕捉存储器中存储的所有所述比较结果划分为多个所述区域的步骤包括:

将所述比较结果按相应行地址和列地址存储在所述错误捕捉存储器中对应位置,其中,所述行地址代表所述采样脉冲的移位次数,所述列地址代表字节地址;

按照若干所述列地址将所述错误捕捉存储器划分为N个所述区域;所述错误捕捉存储器中所述区域个数N的取值范围为:1至64。

3.根据权利要求2所述的NAND Flash时序测试方法,其特征在于,获取每个所述区域各自对应的所述数据有效窗口时间tDVW的步骤包括:

对所述错误捕捉存储器中每个所述区域内的所述比较结果按行进行扫描,并记录每个所述区域内所述比较结果为0的个数a;

获取每一所述比较结果为0对应的测试时间T;

根据每个所述区域内所述比较结果为0对应所述测试时间T和个数a,计算每个所述区域各自对应的所述数据有效窗口时间tDVW,计算公式如下:

tDVW=aT;

其中,tDVW的单位为:ns,T的单位为:ns。

4.根据权利要求2所述的NAND Flash时序测试方法,其特征在于,获取每个所述区域各自对应的所述数据有效区域时间tstrobe的步骤包括:

对所述错误捕捉存储器中每个所述区域内的所述比较结果按行进行扫描,并依次判断每个所述区域各行内存储的所述比较结果是否均为0;

若此所述区域内一行存储的所有所述比较结果首次出现均为0,则此行对应的扫描时间为此所述区域对应的所述数据有效区域时间tstrobe

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