[发明专利]磁性隧道结结构及其磁性随机存储器有效
| 申请号： | 201910972665.1 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112652707B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/85;H10N59/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种磁性随机存储器的磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构中的反铁磁层设置两铁磁层及两者之间的垂直各向异性增强层与晶格转换层，引导所述第二铁磁层的晶格生成密排六方结构，并实现具有面心立方晶体结构的反铁磁层到具有体心立方堆积参考层之间的晶格转换和强铁磁耦合，进而调节所述参考层的漏磁场，令磁性隧道结具有相对较佳的漏磁场和写电流的调控能力，有利于磁性隧道结单元在磁学，电学和良率的提升以及器件的缩微化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 结构 及其 随机 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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