[发明专利]面内不对称的磁存储单元和制备方法有效
| 申请号： | 201910971140.6 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN111370568B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 王开友;曹易 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种面内不对称的磁存储单元和制备方法；其中，所述面内不对称的磁存储单元包括：衬底；垂直磁化层，位于所述衬底之上，通过加热使所述垂直磁化层内产生膜面方向的不对称性，从而发生定向磁化翻转。本发明在没有重金属层或其它强自旋轨道耦合层与垂直磁化层接触的多层膜堆叠中，实现面内电流对垂直磁化层的SOT式定向磁化翻转操作，减少了成本和工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 不对称 存储 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
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