[发明专利]在疏水空穴传输层上沉积钙钛矿薄膜的方法在审

专利信息
申请号: 201910968157.6 申请日: 2019-10-12
公开(公告)号: CN110752322A 公开(公告)日: 2020-02-04
发明(设计)人: 孔令媚;王浩然;杨绪勇 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/54;H01L51/50
代理公司: 31205 上海上大专利事务所(普通合伙) 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种在疏水空穴传输层上沉积钙钛矿薄膜的方法,利用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)界面修饰的空穴传输层制备高质量的钙钛矿薄膜。本发明PVP界面修饰层得以引入空穴传输层与钙钛矿薄膜之间,从而制备光滑平整、高荧光产率的钙钛矿薄膜。相比无PVP修饰的传统方法制备的钙钛矿薄膜,经PVP界面修饰的薄膜表面粗糙度下降且荧光产率增强。本发明通过PVP对HTL进行界面修饰,PVP中的吡咯烷酮部分具有良好的亲水性,因此使得钙钛矿前驱体对HTL的润湿性大大提高,提高钙钛矿的成核位点,可制备光滑平整的钙钛矿薄膜。
搜索关键词: 钙钛矿薄膜 界面修饰 制备 空穴传输层 光滑平整 钙钛矿 产率 聚乙烯吡咯烷酮 薄膜表面 疏水空穴 吡咯烷酮 传输层 粗糙度 高荧光 前驱体 亲水性 润湿性 成核 位点 荧光 沉积 修饰 引入
【主权项】:
1.一种在疏水空穴传输层上沉积钙钛矿薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:/na.空穴传输层溶液的制备:/n按照PVK和TFB的质量比为3:7-7:3的比例,称取PVK和TFB的总质量为10mg作为原料,将原料溶于1ml氯苯溶剂中,得到原料混合液,使用搅拌器,对原料混合液进行搅拌至少2h,然后使用0.45μm聚四氟乙烯过滤器,对原料混合液进行过滤,得到均匀混合的PVK:TFB溶液,备用;/nb.PVP溶液的制备:/n将PVP溶解于无水乙醇中,使PVP浓度为0.5-1.5mg/ml,作为修饰剂溶液,备用;/nc.钙钛矿前驱体溶液的制备:/n将有机间隔大分子、卤化铅和卤化铯按照0.3:1:1.2-0.5:1:1.2的溶质摩尔比,溶于无水DMSO中,控制溶质浓度为100-300mg/ml,得到溶质混合液;再加入占溶质混合液总量的质量百分比为0.1-0.5wt.%的聚氧化乙烯(PEO),得到金属卤化物混合液;然后将金属卤化物混合液在不高于60℃条件下,进行加热搅拌至少3h,然后使用0.45μm聚四氟乙烯过滤器过滤,得到准二维金属卤化物钙钛矿前驱体溶液,作为钙钛矿前驱体溶液,备用;/nd.钙钛矿薄膜的制备:/n取80-120ul在上述步骤a中制备的PVK:TFB溶液,滴在衬底上,并以不低于2000rpm的转速进行旋涂,随后在不高于150℃下退火处理至少10分钟,从而得到PVK:TFB薄膜,作为空穴传输层;待衬底冷却后,取80-120ul在上述步骤b中制备的PVP溶液,滴于旋涂有PVK:TFB的衬底的PVK:TFB薄膜上,然后以不低于2000rpm的转速进行旋涂,在不低于100℃下退火处理5-10min,得到PVP界面修饰层;待衬底冷却后,取80-120ul在上述步骤c中制备的钙钛矿前驱体溶液,滴在结构为衬底-PVK:TFB-PVP复合层的PVP界面修饰层上,以不低于2000rpm的转速进行旋涂,随后在不低于80℃下退火处理5-10min,从而得到与PVP界面修饰层表面结合准二维钙钛矿薄膜。/n
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