[发明专利]在疏水空穴传输层上沉积钙钛矿薄膜的方法在审
申请号: | 201910968157.6 | 申请日: | 2019-10-12 |
公开(公告)号: | CN110752322A | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 孔令媚;王浩然;杨绪勇 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/54;H01L51/50 |
代理公司: | 31205 上海上大专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种在疏水空穴传输层上沉积钙钛矿薄膜的方法,利用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)界面修饰的空穴传输层制备高质量的钙钛矿薄膜。本发明PVP界面修饰层得以引入空穴传输层与钙钛矿薄膜之间,从而制备光滑平整、高荧光产率的钙钛矿薄膜。相比无PVP修饰的传统方法制备的钙钛矿薄膜,经PVP界面修饰的薄膜表面粗糙度下降且荧光产率增强。本发明通过PVP对HTL进行界面修饰,PVP中的吡咯烷酮部分具有良好的亲水性,因此使得钙钛矿前驱体对HTL的润湿性大大提高,提高钙钛矿的成核位点,可制备光滑平整的钙钛矿薄膜。 | ||
搜索关键词: | 钙钛矿薄膜 界面修饰 制备 空穴传输层 光滑平整 钙钛矿 产率 聚乙烯吡咯烷酮 薄膜表面 疏水空穴 吡咯烷酮 传输层 粗糙度 高荧光 前驱体 亲水性 润湿性 成核 位点 荧光 沉积 修饰 引入 | ||
【主权项】:
1.一种在疏水空穴传输层上沉积钙钛矿薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:/na.空穴传输层溶液的制备:/n按照PVK和TFB的质量比为3:7-7:3的比例,称取PVK和TFB的总质量为10mg作为原料,将原料溶于1ml氯苯溶剂中,得到原料混合液,使用搅拌器,对原料混合液进行搅拌至少2h,然后使用0.45μm聚四氟乙烯过滤器,对原料混合液进行过滤,得到均匀混合的PVK:TFB溶液,备用;/nb.PVP溶液的制备:/n将PVP溶解于无水乙醇中,使PVP浓度为0.5-1.5mg/ml,作为修饰剂溶液,备用;/nc.钙钛矿前驱体溶液的制备:/n将有机间隔大分子、卤化铅和卤化铯按照0.3:1:1.2-0.5:1:1.2的溶质摩尔比,溶于无水DMSO中,控制溶质浓度为100-300mg/ml,得到溶质混合液;再加入占溶质混合液总量的质量百分比为0.1-0.5wt.%的聚氧化乙烯(PEO),得到金属卤化物混合液;然后将金属卤化物混合液在不高于60℃条件下,进行加热搅拌至少3h,然后使用0.45μm聚四氟乙烯过滤器过滤,得到准二维金属卤化物钙钛矿前驱体溶液,作为钙钛矿前驱体溶液,备用;/nd.钙钛矿薄膜的制备:/n取80-120ul在上述步骤a中制备的PVK:TFB溶液,滴在衬底上,并以不低于2000rpm的转速进行旋涂,随后在不高于150℃下退火处理至少10分钟,从而得到PVK:TFB薄膜,作为空穴传输层;待衬底冷却后,取80-120ul在上述步骤b中制备的PVP溶液,滴于旋涂有PVK:TFB的衬底的PVK:TFB薄膜上,然后以不低于2000rpm的转速进行旋涂,在不低于100℃下退火处理5-10min,得到PVP界面修饰层;待衬底冷却后,取80-120ul在上述步骤c中制备的钙钛矿前驱体溶液,滴在结构为衬底-PVK:TFB-PVP复合层的PVP界面修饰层上,以不低于2000rpm的转速进行旋涂,随后在不低于80℃下退火处理5-10min,从而得到与PVP界面修饰层表面结合准二维钙钛矿薄膜。/n
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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H01L51-52 ..器件的零部件
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