[发明专利]基于双控制栅的复合介质栅可控自增益光敏探测器件在审
申请号: | 201910966070.5 | 申请日: | 2019-10-12 |
公开(公告)号: | CN110828605A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 马浩文 | 申请(专利权)人: | 南京威派视半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113 |
代理公司: | 江苏法德东恒律师事务所 32305 | 代理人: | 李媛媛 |
地址: | 211135 江苏省南京市江宁区麒*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于双控制栅的复合介质栅可控自增益光敏探测器件。该器件包括复合介质栅、MOS电容和感光晶体管,复合介质栅的P型基底上方依次设有底层介质层、浮栅和顶层介质层,顶层介质层上方设有MOS电容的控制栅极和感光晶体管的控制栅极,感光晶体管的控制栅极通过互连导线和P型基底连接;MOS电容和感光晶体管设置在P型基底内,并通过浅槽隔离;感光晶体管设有源极和漏极;MOS电容和感光晶体管之间通过浮栅相连。本发明的器件能实现低功耗的感光自增益功能和增益控制功能,同时满足对强光和弱光的探测需求,实现高动态范围的光敏探测。 | ||
搜索关键词: | 基于 控制 复合 介质 可控 增益 光敏 探测 器件 | ||
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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