[发明专利]基于双控制栅的复合介质栅可控自增益光敏探测器件在审
| 申请号： | 201910966070.5 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110828605A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 马浩文 | 申请（专利权）人： | 南京威派视半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/113 | 分类号： | H01L31/113 |
| 代理公司： | 江苏法德东恒律师事务所 32305 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 211135 江苏省南京市江宁区麒*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 控制 复合 介质 可控 增益 光敏 探测 器件 | ||
1.基于双控制栅的复合介质栅可控自增益光敏探测器件，其特征在于，光敏探测器件包括复合介质栅、MOS电容和感光晶体管，所述复合介质栅的P型基底上方依次设有底层介质层、浮栅和顶层介质层，顶层介质层上方设有MOS电容的控制栅极和感光晶体管的控制栅极，感光晶体管的控制栅极通过互连导线和P型基底连接；所述MOS电容和感光晶体管设置在P型基底内，并通过浅槽隔离；所述感光晶体管设有源极和漏极；所述MOS电容和感光晶体管之间通过浮栅相连。
2.根据权利要求1所述的基于双控制栅的复合介质栅可控自增益光敏探测器件，其特征在于，所述浮栅是电子导体或半导体。
3.根据权利要求1所述的基于双控制栅的复合介质栅可控自增益光敏探测器件，其特征在于，所述MOS电容和感光晶体管共用浮栅。
4.根据权利要求1所述的基于双控制栅的复合介质栅可控自增益光敏探测器件，其特征在于，所述MOS电容的控制栅极和感光晶体管的控制栅极为多晶硅、金属或透明导电电极。
5.根据权利要求1所述的基于双控制栅的复合介质栅可控自增益光敏探测器件，其特征在于，所述感光晶体管的控制栅极或P型基底至少有一处为对探测器探测波长透明或半透明的窗口。
6.根据权利要求1所述的基于双控制栅的复合介质栅可控自增益光敏探测器件，其特征在于，所述底层介质层和顶层介质层均为绝缘材料。
7.根据权利要求1所述的基于双控制栅的复合介质栅可控自增益光敏探测器件，其特征在于，位于所述MOS电容和感光晶体管上方的底层介质层和顶层介质层的厚度相同或者不同。
8.根据权利要求1所述的基于双控制栅的复合介质栅可控自增益光敏探测器件，其特征在于，所述底层介质层和顶层介质层的厚度均大于6nm。
9.根据权利要求1所述的基于双控制栅的复合介质栅可控自增益光敏探测器件，其特征在于，所述感光晶体管的控制栅极和P型基底保持浮空，感光晶体管的源极接地，其漏极加上0.1V～3V的固定电压；所述MOS电容的控制栅极接地或者外加栅压。
10.根据权利要求9所述的基于双控制栅的复合介质栅可控自增益光敏探测器件，其特征在于，所述MOS电容的控制栅极外加栅压的范围为：-3V～3V。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京威派视半导体技术有限公司，未经南京威派视半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910966070.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
