[发明专利]高电压切换电路、非易失性存储器件和存储系统在审
| 申请号： | 201910962886.0 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN111048137A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 金钟奎;闵泳善;边大锡;李镐吉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/16 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了高电压切换电路、非易失性存储器件和存储系统。该高电压切换电路包括第一晶体管、第一耗尽型晶体管、电平转换器、控制信号发生器、第二晶体管和第二耗尽型晶体管。第一晶体管响应于第一栅极信号，将第二驱动电压传输到输出端子。第一耗尽型晶体管响应于来自所述输出端子的反馈，将第二驱动电压传输到第一晶体管。控制信号发生器响应于电平转换后的使能信号，生成第一控制信号和第二控制信号。第二晶体管具有接收第一电压的栅电极，并且响应于第二晶体管的第一端处的第二控制信号而导通或截止。第二耗尽型晶体管连接在第二晶体管的第二端与所述输出端子之间，并且具有接收第一控制信号的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 切换 电路 非易失性存储器 存储系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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