[发明专利]高电压切换电路、非易失性存储器件和存储系统

说明书

提供了高电压切换电路、非易失性存储器件和存储系统。该高电压切换电路包括第一晶体管、第一耗尽型晶体管、电平转换器、控制信号发生器、第二晶体管和第二耗尽型晶体管。第一晶体管响应于第一栅极信号，将第二驱动电压传输到输出端子。第一耗尽型晶体管响应于来自所述输出端子的反馈，将第二驱动电压传输到第一晶体管。控制信号发生器响应于电平转换后的使能信号，生成第一控制信号和第二控制信号。第二晶体管具有接收第一电压的栅电极，并且响应于第二晶体管的第一端处的第二控制信号而导通或截止。第二耗尽型晶体管连接在第二晶体管的第二端与所述输出端子之间，并且具有接收第一控制信号的栅电极。

相关申请的交叉引用

2018年10月15日在韩国知识产权局(KIPO)提交的题为“High Voltage SwitchCircuit,Nonvolatile Memory Device Including the Same and Memory SystemIncluding the Same”的韩国专利申请No.10-2018-0122677通过引用被全部结合于本申请中。

技术领域

示例实施例总体上涉及半导体器件，更具体地，涉及高电压切换电路、包括该高电压切换电路的非易失性存储器件以及包括该非易失性存储器件的存储系统。

背景技术

半导体存储器件通常可以根据当与电源断开时存储的数据是否被保留而分成两个类别。这些类别包括易失性存储器件和非易失性存储器件，易失性存储器件在断电时丢失存储的数据，非易失性存储器件在断电时保留存储的数据。易失性存储器件可以高速执行读取和写入操作，而存储在其中的内容可能在断电时丢失。非易失性存储器件即使在断电时仍可以保留存储在其中的内容，这意味着它们可以用于存储无论它们是否通电都必须保留的数据。非易失性存储器件的示例包括闪存。

闪存通常需要高于从外部源提供的电源电压的编程电压和/或擦除电压。例如，擦除电压可以是大约20V。闪存包括高电压切换电路以控制这些高电压或其他高电压，该高电压切换电路又向存储单元阵列提供相关的高电压。

发明内容

根据示例实施例，一种高电压切换电路包括第一晶体管、第一耗尽型晶体管、电平转换器、控制信号发生器、第二晶体管和第二耗尽型晶体管。所述第一晶体管响应于第一栅极信号，将第二驱动电压传输到输出端子。所述第一耗尽型晶体管响应于从所述输出端子反馈的输出信号，将所述第二驱动电压传输到所述第一晶体管。所述电平转换器基于第一电压来转换使能信号的电平，以生成电平转换后的使能信号。所述控制信号发生器响应于所述电平转换后的使能信号，生成第一控制信号和第二控制信号。所述第二晶体管具有接收所述第一电压的栅电极，并且响应于在所述第二晶体管的第一端接收的所述第二控制信号而导通或截止。所述第二耗尽型晶体管连接在所述第二晶体管的第二端与所述输出端子之间，并且具有接收所述第一控制信号的栅电极。

根据示例实施例，一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、传输晶体管和高电压切换电路。所述存储单元阵列包括连接到字线和位线的存储单元。所述传输晶体管将第一高电压传输到所述字线。所述高电压切换电路将使能信号的电平升压到第二高电压的电平，以向所述传输晶体管的栅电极提供升压的使能信号。所述高电压切换电路包括第一晶体管、第一耗尽型晶体管、电平转换器、控制信号发生器、第二晶体管和第二耗尽型晶体管。所述第一晶体管响应于第一栅极信号，将所述第二高电压传输到输出端子。所述第一耗尽型晶体管响应于从所述输出端子反馈的输出信号，将所述第二高电压传输到所述第一晶体管。所述电平转换器基于第一电压来转换所述使能信号的电平，以生成电平转换后的使能信号。所述控制信号发生器响应于所述电平转换后的使能信号，生成第一控制信号和第二控制信号。所述第二晶体管具有接收所述第一电压的栅电极，并且响应于在所述第二晶体管的第一端接收的所述第二控制信号而导通或截止。所述第二耗尽型晶体管连接在所述第二晶体管的第二端与所述输出端子之间，并且具有接收所述第一控制信号的栅电极。