[发明专利]高剥离力高介电常数的平面电容及其制备方法在审
| 申请号： | 201910960637.8 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110838408A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 李峰;刘侠侠;陶玉红;李露;余谋发;卢星华;袁启斌 | 申请（专利权）人： | 深圳市峰泳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/14 | 分类号： | H01G4/14 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 齐云娜 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高剥离力、高介电常数的平面电容及其制备方法，在该平面电容的制备过程中，对金属膜进行表面粗化处理，在金属膜与介质层之间增加硅烷偶联剂层，介质层包含能与硅烷偶联剂反应的热固性树脂聚合物，在固化成型过程中加压加热，通过上述工艺的改进，增加该介质层与金属膜之间的结合力。 | ||
| 搜索关键词： | 剥离 介电常数 平面 电容 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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