[发明专利]实现近红外到可见光转换的上转换器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910959406.5 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110649083B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 张秀娟;揭建胜 | 申请（专利权）人： | 苏州英凡瑞得光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 周礼涛 |
| 地址： | 215151 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种实现近红外到可见光转换的上转换器件及其制备方法，上转换器件包括：硅基探测器，用于红外光的吸收；OLED发光器件，设在所述硅基探测器上以将所述硅基探测器吸收的红外光以可见光的形式上转换成像。本发明的实现近红外到可见光转换的上转换器件具有较高的成像分辨率、高相应速度和高上转换效率，该上转换器件可以实时将700nm‑1200nm的近红外光以可见光的形式成像，且该上转换器件成本低、体积小。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 红外 可见光 转换 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种实现近红外到可见光转换的上转换器件，其特征在于，包括：/n硅基探测器，用于红外光的吸收；/nOLED发光器件，设在所述硅基探测器上以将所述硅基探测器吸收的红外光以可见光的形式上转换成像。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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