[发明专利]一种低频PECVD沉积氧化铝的方法有效
| 申请号： | 201910959148.0 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110699674B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 赵增超 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/40;H01L31/18 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;何文红 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种低频PECVD沉积氧化铝的方法，该方法是以三甲基铝为原料，以O |
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| 搜索关键词： | 一种 低频 pecvd 沉积 氧化铝 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低频PECVD沉积氧化铝的方法，其特征在于，以三甲基铝为原料，以O
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
