[发明专利]一种衬底片表面残余应力释放的方法在审
| 申请号： | 201910947325.3 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110660657A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 林武庆;张洁;苏双图;赖柏帆 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 11646 北京超成律师事务所 | 代理人： | 董佳 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种衬底片表面残余应力释放的方法，涉及LED技术领域，衬底片表面残余应力释放的方法包括：采用离子束轰击衬底片，其中，所述离子束的流量为5‑50sccm，源功率为500‑1200W；偏压源功率为150‑350W。采用离子束轰击衬底片，可以减小或消除衬底片表面的残余应力，从而减小衬底片的变形，使衬底满足精度要求；且该方法操作简单、方便，可以达到快速高效的修正效果。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底片 离子束轰击 表面残余 应力释放 减小 残余应力 精度要求 离子束 偏压源 源功率 衬底 变形 修正 | ||
【主权项】：
1.一种衬底片表面残余应力释放的方法，其特征在于，包括：采用离子束轰击衬底片，其中，所述离子束的流量为5-50sccm，源功率为500-1200W；偏压源功率为150-350W。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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